芯片的制造包括沉積、光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻、移植、剝離等工序，其中曝光是微芯片生產(chǎn)中的關(guān)鍵工序，ASML 正是處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的曝光環(huán)節(jié)。

光刻機(jī)的作用原理有點(diǎn)像投影儀，首先由光刻設(shè)備投射的光源通過(guò)帶有圖案的掩模投射出來(lái)，經(jīng)過(guò)透鏡或鏡子將圖案聚焦在晶圓（類(lèi)似于投影幕布）上。

不過(guò)投射之后形成的形狀不是平面的而是立體的，通過(guò)蝕刻曝光或未受曝光的部分來(lái)形成溝槽，然后再進(jìn)行沉積、蝕刻、摻雜，架構(gòu)出不同材質(zhì)的線路，生出基礎(chǔ)輪廓。此工藝過(guò)程被一再重復(fù)，將數(shù)十億計(jì)的 MOSFET 或其他晶體管建構(gòu)在硅晶圓上，形成一般所稱(chēng)的集成電路。

芯片在生產(chǎn)過(guò)程中需要進(jìn)行 20-30 次的光刻，耗時(shí)占到制造環(huán)節(jié)的 50% 左右，占芯片生產(chǎn)成本的 1/3，光刻環(huán)節(jié)也決定著芯片的制程和性能水平。

細(xì)數(shù)光刻機(jī)發(fā)展的這么多年，入局者們基本圍繞降低 CD（曝光關(guān)鍵尺寸，可作為判斷分辨率的依據(jù)）展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

CD=k1* ( λ /NA )

CD 值越小表明曝光形成的關(guān)鍵尺寸越小水平越高，各大廠商能做的也就是降低波長(zhǎng) λ，提高鏡頭的數(shù)值孔徑 NA，降低綜合因素 k1。

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